2N60 场效应管全市场价原装无铅MOS管 FQPF2N60C

价格：		0.68
是否提供加工定制：		否
品牌/商标：		AOKE
型号/规格：		2N60
应用范围：		开关
材料：		硅(Si)
极性：		NPN型
集电极允许电流ICM：		2（A）
集电极耗散功率PCM：		23（W）
截止频率fT：		1（MHz）
结构：		点接触型
封装形式：		TO-220F
封装材料：		塑料封装

详细介绍
企业详情

dzsc/19/0013/19001304.jpg

dzsc/19/0013/19001304.jpg

FQPF2N60C

N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 晶体管
用途: 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。
Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters
and switch mode power supplies.
特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
Features: Low gate charge ,low crss, fast switching.

极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

电性能参数/Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
测试条件
Test Conditions
最小值
Min
典型值
Typ
值
Max
单位
Unit
BVDSS VGS=0V      ID=250μA 600      V
VDS=600V    VGS=0V      1.0 μA
IDSS
VDS=480V    TC=125℃      100 μA
IGSS VGS=±30V   VDS=0V      ±0.1 μA
VGS(th) VDS=VGS      ID=250μA 2.0    4.0 V
RDS(on) VGS=10V     ID=1.0A    4.0 5.0 Ω
gFS VDS=40V     ID=1.0A    2.05    S
VSD VGS=0V      IS=2.0A      1.4 V
Ciss    320 420 pF
Coss    35 46 pF
Crss
VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz
4.5 6.0 pF
td(on)    8.0 30 ns
tr    23 60 ns
td(off)    25 60 ns
tf
VDD=300V ID=2.0A RG=25Ω
28 70 ns
参数符号
Symbol
数值
Rating
单位
Unit
VDSS 600 V
ID(Tc=25℃) 2.0 A
ID(Tc=100℃) 1.3 A
IDM 6.0 A
VGSS ±30 V
EAS 120 mJ
EAR 5.4 mJ
IAR 2.0    A
PD(Tc=25℃) 23 W
TJ,TSTG -55 to 150 ℃