品牌:STC美国硅晶体管 型号:STP75NF75 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1(V) 夹断电压:1(V) 低频跨导:1(μS) 极间电容:1(pF) 低频噪声系数:1(dB) 漏极电流:1(mA) 耗散功率:1(mW)
场效应三极管
品牌:IPRS罗德 型号:TIP42 TIP30 2N60 7N60 12N60 10N60 4N60 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-INM/独立组件 封装外形:CHIP/小型片状 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:10(V) 夹断电压:100(V) 低频跨导:1000(μS) 极间电容:100(pF) 低频噪声系数:100(dB) 漏极电流:1000(mA) 耗散功率:10000(mW) 场效应管 主要代理品牌:dzsc/17/4042/17404275.jpgdzsc/17/4042/17404275.jpgdzsc/17/4042/17404275.jpg类别:场效应管型号:IRF系列 FDN、FDV系列 2SK、2SJ系列 封装:TO-220 SOP8 SOT23dzsc/17/4042/17404275.jpgdzsc/17/4042/17404275.jpg
品牌:天泰 凯利 型号:104 224 223 103 介质材料:独石 应用范围:安规 外形:方块状 功率特性:中功率 频率特性:中频 调节方式:固定 引线类型:无引线 允许偏差:±10(%) 耐压值:250(V) 标称容量:10UF 损耗:0.5 额定电压:275(V) 额定电流:0.5(A)电容主要代理品牌:dzsc/17/4338/17433827.jpgdzsc/17/4338/17433827.jpgdzsc/17/4338/17433827.jpgdzsc/17/4338/17433827.jpgdzsc/17/4338/17433827.jpg体积:0402 0603 0805 1206 1210 1808 1812 1825 2220 2225容量偏差:F=±1% J=±5% K=±10% M=±20% Z=±20% to +80%标称容量:0.2P-100uF 10V-5000V dzsc/17/4338/17433827.jpgdzsc/17/4338/17433827.jpg片状微调电容片状电容dzsc/17/4338/17433827.jpg 片状钽质电容 环保产品 ROHS