MOS管（场效应）
| 价 格： | 面议 |
品牌:IPRS罗德 型号:TIP42 TIP30 2N60 7N60 12N60 10N60 4N60 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-INM/独立组件 封装外形:CHIP/小型片状 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:10（V） 夹断电压:100（V） 低频跨导:1000（μS） 极间电容:100（pF） 低频噪声系数:100（dB） 漏极电流:1000（mA） 耗散功率:10000（mW）
场效应管
主要代理品牌：
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类别：场效应管
型号：IRF系列 FDN、FDV系列 2SK、2SJ系列
封装：TO-220 SOP8 SOT23
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- 所属城市：广东 东莞
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- 联系人： 王国强
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X电容 安规电容（授权代理）
信息内容：品牌:天泰 凯利 型号:104 224 223 103 介质材料:独石 应用范围:安规 外形:方块状 功率特性:中功率 频率特性:中频 调节方式:固定 引线类型:无引线 允许偏差:±10（%） 耐压值:250（V） 标称容量:10UF 损耗:0.5 额定电压:275（V） 额定电流:0.5（A）电容主要代理品牌：dzsc/17/4338/17433827.jpgdzsc/17/4338/17433827.jpgdzsc/17/4338/17433827.jpgdzsc/17/4338/17433827.jpgdzsc/17/4338/17433827.jpg体积：0402 0603 0805 1206 1210 1808 1812 1825 2220 2225容量偏差：F=±1% J=±5% K=±10% M=±20% Z=±20% to +80%标称容量：0.2P-100uF 10V-5000V dzsc/17/4338/17433827.jpgdzsc/17/4338/17433827.jpg片状微调电容片状电容dzsc/17/4338/17433827.jpg 片状钽质电容 环保产品 ROHS
