价 格: | 2.00 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STD5NM60T4 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 3-5(V) | |
夹断电压: | 0(V) | |
低频跨导: | 2.4S(μS) | |
极间电容: | 400(pF) | |
漏极电流: | 5000(mA) | |
耗散功率: | 96000(mW) |
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描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:64A电压, Vds :55V在电阻RDS(上):14mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:130W功耗:130W封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm总功率, Ptot:130W晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:64A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:55V电压, Vds 典型值:55V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:210A表面安装器件:通孔安装
類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 通孔式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 800V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 6A開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 900毫歐姆@ 3.8A,10V輸入電容(Ciss)@Vds 785pF @ 25V功率 - 83W封裝 管裝閘電流(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V封裝/外殼 TO-220AB閘極至源極的電壓(Vgs) 20V"