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供应贴片MOS STD5NM60T4

价 格: 2.00
品牌/商标:ST/意法
型号/规格:STD5NM60T4
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:3-5(V)
夹断电压:0(V)
低频跨导:2.4S(μS)
极间电容:400(pF)
漏极电流:5000(mA)
耗散功率:96000(mW)

dzsc/19/0002/19000258.jpg

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深圳市福田区华强广场新原电子销售部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 欧阳立
  • 电话:755-83200113
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华强实体店供应低压直插MOSFET IRFZ48N/IRFZ48/Z48N/Z48

信息内容:

描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:64A电压, Vds :55V在电阻RDS(上):14mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:130W功耗:130W封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm总功率, Ptot:130W晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:64A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:55V电压, Vds 典型值:55V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:210A表面安装器件:通孔安装

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供应英飞凌COOLMOS管 SPP06N80C3

信息内容:

類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 通孔式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 800V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 6A開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 900毫歐姆@ 3.8A,10V輸入電容(Ciss)@Vds 785pF @ 25V功率 - 83W封裝 管裝閘電流(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V封裝/外殼 TO-220AB閘極至源極的電壓(Vgs) 20V"

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