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场效应管 PHD78NQ03LT / PHD78NQ 03LT / 78N03

价 格: 面议
品牌/商标:NXP Semiconductors
型号/规格:PHD78NQ03LT
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:2(V)
极间电容:970(pF)
漏极电流:75,000(mA)
耗散功率:107,000(mW)

PHD78NQ03LT中文资料:

制造商

NXP Semiconductors

制造商零件编号

PHD78NQ03LT,118

描述

MOSFET N-CH 25V 75A SOT428

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

TrenchMOS™

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C

9毫欧 @ 25A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)

25V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

75A

Id时的 Vgs(th)()

2V @ 1mA

闸电荷(Qg) @ Vgs

11nC @ 4.5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

970pF @ 12V

功率 -

107W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63

供应商设备封装

D-Pak

包装

带卷 (TR)

 


公司照片:

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备注:

 

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PHD78NQ03LT订购及咨询:

 

深圳市丰尔电子有限公司

 

电话:0755-83687516(7线)

 

商务QQ:120279071

 

MSN: jason-yufo@hotmail.com

 

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