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　　mos管的概述
　　mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

　　mos管的主要参数
　　1.开启电压VT
　　·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
　　·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
　　·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
　　2. 直流输入电阻RGS
　　·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
　　·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
　　·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
　　3. 漏源击穿电压BVDS
　　·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
　　·ID剧增的原因有下列两个方面： 　　（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿 　　（2）漏源极间的穿通击穿
　　·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID
　　4. 栅源击穿电压BVGS
　　·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
　　5. 低频跨导gm
　　·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
　　·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
　　·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
　　·一般在十分之几至几mA/V的范围内
　　6. 导通电阻RON
　　·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
　　·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间
　　·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
　　·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
　　7. 极间电容
　　·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
　　·CGS和CGD约为1～3pF
　　·CDS约在0.1～1pF之间
　　8. 低频噪声系数NF
　　·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
　　·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
　　·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
　　·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
　　·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
　　·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

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