天旺的腾飞，得益于的人才策略，“人尽其才，物尽其用”是天旺用人的一惯宗旨。人才源源不断的加入，保证了天旺服务于电子信息产业的宏大抱负得以实现，也是天旺近20年称霸深圳电子元器件二、三极管领域的秘密。

　　场效应管的概述
　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

　　场效应管的特点
　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
　　（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
　　（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
　　（5）场效应管的抗辐射能力强；
　　（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

　   场效应管的主要作用
　　1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
　　2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
　　场效应管可以用作可变电阻。
　　4.场效应管可以方便地用作恒流源。
　　5.场效应管可以用作电子开关。

　　场效应管的型号命名
　　有两种命名方法。
　　种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 　　第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

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