价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDD2N60RH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 600(V) | |
跨导: | 500(μS) | |
极间电容: | 275(pF) | |
漏极电流: | 1900(mA) | |
耗散功率: | 42000(mW) |
•封装形式:TO-252
•ID=1.9A VDS=600V
•RDS(ON)≤4.5Ω
•耗散功率:42W
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•导通电阻:RDS(on) = 0.042Ω •封装形式:TO-220AB
•封装形式:TO-262•导通电阻:RDS(ON)=42mΩ•栅极电荷量:QGD=9nC• 反向恢复时间:Trr=120nS•漏极电流:ID=33A @ TC=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 175°C "