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供应 美格拉(纳)MOS管—MDD2N60RH 原装

价 格: 面议
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDD2N60RH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:600(V)
跨导:500(μS)
极间电容:275(pF)
漏极电流:1900(mA)
耗散功率:42000(mW)

 •封装形式:TO-252

 •ID=1.9A          VDS=600V

 •RDS(ON)≤4.5Ω

 •耗散功率:42W

 •工作温度范围:-55 ~ 150°C

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
  • 电话:021-39121306/39121309
  • 传真:021-39121309
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  • QQ :QQ:17149511QQ:376861332
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