供应二极管，厂家生产二极管|大量批发二极管原装现货
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 全系列 | |
| 品牌/商标： | HT | |
| 封装形式： | SMD | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
天旺创立于1991年，在近20年的市场博弈中，凭借着“天旺”人持之以恒的努力，在中国电子信息产业讯速发展的的契机下，使“天旺”发展成为产、供、销一条龙，科、工、贸一体化的新型高新技术集团公司。
二极管的概述
二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
下列为比较经常用到的二极管参数
05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,
05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW,
05Z13X 硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW,
05Z15Y 硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW,
05Z18Y 硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW,
1N4001 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)
1N4002 硅整流二极管 100V, 1A,
1N4003 硅整流二极管 200V, 1A,
1N4004 硅整流二极管 400V, 1A,
1N4005 硅整流二极管 600V, 1A,
1N4006 硅整流二极管 800V, 1A,
1N4007 硅整流二极管 1000V, 1A,
1N4148 二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V,
1N5391 硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A)
1N5392 硅整流二极管 100V,1.5A,
1N5393 硅整流二极管 200V,1.5A,
1N5394 硅整流二极管 300V,1.5A,
1N5395 硅整流二极管 400V,1.5A,
1N5396 硅整流二极管 500V,1.5A,
1N5397 硅整流二极管 600V,1.5A,
1N5398 硅整流二极管 800V,1.5A,
1N5399 硅整流二极管 1000V,1.5A,
1N5400 硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)
1N5401 硅整流二极管 100V,3A,
1N5402 硅整流二极管 200V,3A,
1N5403 硅整流二极管 300V,3A,
1N5404 硅整流二极管 400V,3A,
1N5405 硅整流二极管 500V,3A,
1N5406 硅整流二极管 600V,3A,
1N5407 硅整流二极管 800V,3A,
1N5408 硅整流二极管 1000V,3A,
二极管的特性
二极管（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。 大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性，而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。 早期的二极管包含“猫须晶体（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”)。现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。
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供应MOS管，大量批发MOS管价格实惠|原装mos管参数
信息内容：天旺集元器件研发销售、代理销售、战略联盟销售、进出口报关物流等多项业务于一体。集更多的优势接受市场的挑战，灵活服务于客户。 mos管的概述 mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 mos管的主要参数 1.开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压； ·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V； ·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BVDS ·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ·ID剧增的原因有下列两个方面： （1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿...
供应快恢复二极管，厂家大量批发快恢复二极管|分类|注意事项
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