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MEE250-12DA

价 格: 1.00
封装外形:SMD(SO)/表面封装
型号/规格:MEE250-12DA
材料:IGBT绝缘栅比极
用途:MOS-TPBM/三相桥
品牌/商标:IXY美国电报半导体
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:耗尽型
1:1

电子元器件代理:GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅,整流桥模块,快恢复二极管,场效应及驱动电路.品牌三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR,IXYS,日立等进口快速熔断器,电解电容,大制动电阻;东芝、安川、三垦、富士、三菱等IGBT功率模块。

北京浩诚嘉泰科技有限公司
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供应富士IGBT模块1MBI2400UD-120

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北京浩诚嘉泰科技有限公司是一家以研发、销售、系统集成项目、配套电子的企业,电子元器件代理,.GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅,整流桥模块,快恢复二极管,场效应及驱动电路.品牌三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR,IXYS,日立,等进口快速熔断器,电解电容.大制动电阻;东芝、安川、三垦、富士、三菱等IGBT功率模块。北京浩诚嘉泰科技有限公司销售大功率模块电源,小功率模块电源及开关稳压电源。在广泛的电子产品市场逐渐开拓出一条自我发展的道路。‘以优质的服务让客户满意,以可靠的产品质量让客户放心‘的经营宗旨,在国内外电子行业客户中建立了良好的信誉。"

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富士IGBT模块7MBR25VY120-50

信息内容:

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