价 格: | 1.00 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | MEE250-12DA | |
材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
用途: | MOS-TPBM/三相桥 | |
品牌/商标: | IXY美国电报半导体 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 耗尽型 | |
1: | 1 |
电子元器件代理:GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅,整流桥模块,快恢复二极管,场效应及驱动电路.品牌三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR,IXYS,日立等进口快速熔断器,电解电容,大制动电阻;东芝、安川、三垦、富士、三菱等IGBT功率模块。
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