价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STW80N06 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | L/功率放大 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 |
【产品型号】:STW80N06
【生产厂家】:ST
【封装形式】:TO-247(又称TO-3P)
【基本参数】:MOS管 V A W Ω
名称:MOS场效应管型号:IRF530NPBF牌子:IR国际整流封装:直插220 原装现货年份 以下标准参数只供参考 晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:15A电压, Vds :100V在电阻RDS(上):110mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:63W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:63W功耗:63W器件标记:IRF530N封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:17A热阻, 结至外壳 A:1.9°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:60A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a