EMB60N06A TO-252
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/商标： | EMC/义隆 | |
| 型号/规格： | EMB60N06A | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 3.2（V） | |
| 夹断电压： | 60（V） | |
| 跨导： | 19000（μS） | |
| 极间电容： | 53（pF） | |
| 漏极电流： | 48000（mA） | |
| 耗散功率： | 20000（mW） |
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS 60V
RDSON (MAX.) 60mΩ
ID 12A
UIS, Rg 100% Tested
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
3Pulse width limited by maximum junction temperature.
Ordering & Marking Information:
Device Name: EMB60N06A for DPAK (TO‐252) dzsc/18/9962/18996232.jpg
- 所属城市：广东 深圳
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供应CREE碳化硅MOSFET CMF20120D
信息内容：Cree 新型的 Z-FET™ 碳化硅 MOSFET 具有出众的能效，应用的范围更为广泛。 VDS:1200 V RDS:80 mΩ ID(MAX):33A 特征---•行业的RDS（on）•高速开关•低的电容•易于以并行•简单到驱动器效益---•无铅电镀，无卤素，符合RoHS •更高的系统效率•减少冷却需求•雪崩耐用•提高了系统的开关频率应用---•太阳能逆变器•高电压DC /DC转换器•电机驱动器
新品优势供应CREE新型的Z-FET? 碳化硅MOSFET -CMF20120D
信息内容：Cree 新型的 Z-FET™ 碳化硅 MOSFET 具有出众的能效，应用的范围更为广泛。 Z-FET™ CMF20120D — Industry’s First SiC MOSFET (业界碳化硅MOSFET)Attain record efficiencies with significant reliability improvement over competing Si devices.VDS:1200 V RDS:80 mΩ ID(MAX):33AHigh-speed switchingLow capacitancesOnly 20% increase in RDS(ON)over operating temperature rangeEasy to parallel 在同类产品中的开关损耗。能够与世界一流的效率显着较高的开关频率。降低磁性元件和过滤器的大小显着减少冷却要求。符合RoHS，REACH法规和卤素无兼容 碳化硅MOSFET应用在电力电子Cree的CMF20120D是能源效率是至关重要的的高电压应用的理想选择。太阳能逆变器碳化硅MOSFET的升压和逆变器的DC - AC转换器可以使用的例子。下降超过30％的SiC MOSFET的开关损耗;与Cree的碳化硅结势垒肖特基二极管相结合，整个系统的效率已经证明> 99％。"
