新品优势供应CREE新型的Z-FET? 碳化硅MOSFET -CMF20120D
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | CREE/科锐 | |
| 型号/规格： | CMF20120 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 开启电压： | 1200（V） | |
| 夹断电压： | 1200（V） | |
| 漏极电流： | 33000（mA） | |
| 耗散功率： | 150000（mW） |
Cree 新型的 Z-FET™ 碳化硅 MOSFET 具有出众的能效，应用的范围更为广泛。
Z-FET™ CMF20120D — Industry’s First SiC MOSFET (业界碳化硅MOSFET)
Attain record efficiencies with significant reliability improvement over competing Si devices.
"VDS:1200 V RDS:80 mΩ ID(MAX):33A
- High-speed switching
- Low capacitances
- Only 20% increase in RDS(ON)
over operating temperature range- Easy to parallel
- 在同类产品中的开关损耗。
能够与世界一流的效率显着较高的开关频率。
降低磁性元件和过滤器的大小显着减少冷却要求。
符合RoHS，REACH法规和卤素无兼容碳化硅MOSFET应用在电力电子
Cree的CMF20120D是能源效率是至关重要的的高电压应用的理想选择。太阳能逆变器碳化硅MOSFET的升压和逆变器的DC - AC转换器可以使用的例子。下降超过30％的SiC MOSFET的开关损耗;与Cree的碳化硅结势垒肖特基二极管相结合，整个系统的效率已经证明> 99％。
深圳市嘉威创盈科技有限公司
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