IRGP50B60PD1F原装
| 价 格： | 5.00 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRGP50B60PD1 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 |
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| 数据列表 | IRGP50B60PD1 |
| 制造商 | IR |
| 标准包装 | 25 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 属性 | 数据采集-数模转换器 |
| 系列 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 设置时间 | 2.5µs |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 104A |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 11 毫欧 @ 62A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（） | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5270pF @ 50V |
| 功率 - | 380W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
- 所属城市：广东 深圳
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BU2520DX紧缺料供应
信息内容：dzsc/19/0483/19048351.jpgdzsc/19/0483/19048351.jpgdzsc/19/0483/19048351.jpgdzsc/19/0483/19048351.jpg 数据列表BU2520DX制造商NXP标准包装50类别分离式半导体产品属性数据采集-数模转换器系列MOSFET N 通道，金属氧化物设置时间2.5µsFET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)150V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C104A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 62A, 10VId 时的 Vgs(th)（）5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds5270pF @ 50V功率 - 380W安装类型通孔封装/外壳TO-3P"
L3705NSTRLF原装
信息内容：dzsc/19/1201/19120159.jpgdzsc/19/1201/19120159.jpgdzsc/19/1201/19120159.jpg产品型号L3705NSTRL标准包装800原厂类别分离式半导体产品系列HEXFET®FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C23A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C117 毫欧 @ 14A, 10VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1450pF @ 25V功率 - 3.1W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷
