BU2520DX紧缺料供应
| 价 格： | 3.50 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | BU2520DX | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | MES金属半导体 |
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| 数据列表 | BU2520DX |
| 制造商 | NXP |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 属性 | 数据采集-数模转换器 |
| 系列 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 设置时间 | 2.5µs |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 104A |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 11 毫欧 @ 62A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（） | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5270pF @ 50V |
| 功率 - | 380W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P |
结型场效应管 深圳市德逸创科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 朱文通
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- 手机：15919879353
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信息内容：dzsc/19/1201/19120159.jpgdzsc/19/1201/19120159.jpgdzsc/19/1201/19120159.jpg产品型号L3705NSTRL标准包装800原厂类别分离式半导体产品系列HEXFET®FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C23A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C117 毫欧 @ 14A, 10VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1450pF @ 25V功率 - 3.1W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷
