价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STW13NK100Z | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 4.5(V) | |
夹断电压: | 30(V) | |
跨导: | 14000(μS) | |
极间电容: | 6000(pF) | |
漏极电流: | 13000(mA) | |
耗散功率: | 350000(mW) |
• VDS=1000V
• ID=13A
• 导通电阻:R<0.7Ω
• 总耗散功率:350W
• 工作温度范围:-50 ~ 150°C
•ID= 4.5A, VDSS=600V•导通电阻:RDS(ON)=2.5Ω•工作温度范围:-55 ~ 150°C•耗散功率:PD=100W•开启延迟时间:10ns•关断延迟时间:38ns
• VDS=600V • ID=2A• 导通电阻:R<4.8Ω• 总耗散功率:20W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C