场效应管 IPB06N03LA G,IPB06N03
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | IPB06N03LA,SOT-263,infineon,SMD/MOS,25V.50A | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2（V） | |
| 夹断电压： | 20（V） | |
| 漏极电流： | 50A（mA） | |
| 耗散功率： | 83W（mW） |
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MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
infineon MOSFET场效应管系列:
IPD10N03LAG,SOT-252,25V,30A,0.0104Ω
IPD04N03LAG,SOT-252,infineon,SMD/MOS,30V.80A
IPU04N03LAG,TO-251,infineon,DIP/MOS,30V.80A
IPD09N03LAG,SOT-252,infineon,SMD/MOS,25V.50A
IPU09N03LAG,TO-251,infineon,SMD/MOS,25V.50A
IPD06N03LW,SOT-252,infineon,SMD/MOS,30V.50A
IPU06N03LAG,TO-251,infineon,DIP/MOS,25V.50A
IPP06N03LA,TO-220,infineon,DIP/MOS,25V.50A
IPB06N03LA,SOT-263,infineon,SMD/MOS,25V.50A
IPP50R520CP,TO-220,500V,7.1A,0.52Ω
IPB50R199CP TO-263 08NPB 500V 12A
IPP03N03LBG TO-220 07NPB N场 80A 25V
IPP05N03LBG TO-220 08 N场 80A 30V
IPP055N03LG TO-220 07NPB N场 50A 30V
IPP070N06LG TO-220 07NPB N场 80A 60V
IPP080N03LG TO-220 08 N场 50A 30V
IPP147N03LG TO-220 09NPB N场 20A 30V
SPP80N03S2L-03 TO-220 07NPB N场 80A 30V
SPP80N03S2-03 TO-220 08NPB N场 80A 30V
IPP023N04NG TO-220 08NPB N场 90A 40V
IPP048N06LG TO-220 08NPB N场 100A 60V
IPP26CN10NG TO-220 08NPB N场 35A 100V 现货供应!以优势说话
IPP16CN10LG TO-220 07NPB N场 100A 54V
IPP26CN10NG infineon 08NPB TO-220 N场 35A 100V 现货供应!以优势说话
BSC019N04NSG,BSC020N03MSG,BSC024N025SG
BSC025N03MSG,BSC026N02KSG,BSC029N025SG
BSC030N03LSG,BSC030N03MSG,BSC030N04NSG
BSC035N04LSG,BSC048N025SG,BSC050N03LSG
BSC050N03MSG,BSC054N04NSG,BSC059N04LSG
BSC080N03LSG,BSC080N03MSG,BSC090N03LSG
BSC090N03MSG,BSC100N03LSG,BSC150N03LDG
BSC750N10NDG,BSO052N03S,BSZ040N04LSG
BSZ058N03LSG,BSZ058N03MSG,BSZ088N03LSG
BSZ097N04LSG,BSZ100N03MSG,BSZ165N04NSG
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场效应管 BSC010NE2LS G,010NE2LS
信息内容：BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω dzsc/18/9942/18994272.jpgBSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω
场效应管 MDP15N60G MDP15N60
信息内容：dzsc/18/9946/18994681.jpgMDP15N60TH，TO-220，MagnaChip/美格纳，DIP/MOS，N场，600V，15A， General DescriptionThese N channel MOSFET are produced using advanced MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides low onstate resistance,high switching performance and excellent quality.These devices are suitable device for SMPS,high Speed switching and general purpose applications. FeaturesVDS=600V ID=15A @ VGS=10VRDS(ON) ≤ 0.40E @ VGS = 10VApplicationsPower SupplyPFCHigh Current, High Speed Switching"
