价 格: | 0.40 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | Z0409NF | |
控制方式: | 双向 | |
极数: | 三极 | |
封装材料: | 陶瓷封装 | |
封装外形: | TO-202 | |
散热功能: | 不带散热片 | |
频率特性: | 高频 | |
功率特性: | 大功率 | |
额定正向平均电流: | 4(A) | |
控制极触发电流: | 10(mA) | |
稳定工作电流: | 1.3(A) | |
反向重复峰值电压: | 800(V) |
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数据列表 Z04
产品相片 Z0409NF 1AA2
其它有关文件 Z04 View All Specifications
产品目录绘图 Triac Z Series TO202-3
标准包装 250
类别 分离式半导体产品
家庭 三端双向可控硅开关
系列 -
三端双向可控硅开关类型 逻辑 - 灵敏栅极
电压 - 断路 800V
电流 - 导通状态 (It (RMS))() 4A
配置 单一
电压 - 栅极触发器 (Vgt)() 1.3V
电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm) 20A, 21A
电流 - 栅极触发电流 (Igt)() 10mA
电流 - 维持(Ih) 10mA
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-202 无接片
供应商设备封装 TO-202
包装 袋
产品目录页面 1557 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 497-7702
Z0409NF 1AA2-ND
数据列表 FQP3N60C 产品变化通告 Passivation Material Change 14/May/2008 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 QFET™FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 3.4 欧姆 @ 1.5A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 14nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 565pF @ 25V 功率 - 75W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220 包装 管件
数据列表 FQD3N60C, FQU3N60C 产品相片 DPAK_369D−01 产品变化通告 Passivation Material Change 14/May/2008 产品目录绘图 I-PAK, I2PAK Pkg 标准包装 70类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 QFET™FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.4A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 3.4 欧姆 @ 1.2A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 14nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 565pF @ 25V 功率 - 50W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商设备封装 I-Pak 包装 管件