价 格: | 0.80 | |
品牌/商标: | FREESCALE/飞思卡尔 | |
型号/规格: | FQP4N60C | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
开启电压: | *(V) | |
夹断电压: | *(V) | |
跨导: | *(μS) | |
极间电容: | *(pF) | |
低频噪声系数: | *(dB) | |
漏极电流: | *(mA) | |
耗散功率: | *(mW) |
数据列表 FQP3N60C
产品变化通告 Passivation Material Change 14/May/2008
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 3.4 欧姆 @ 1.5A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 14nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 565pF @ 25V
功率 - 75W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220
包装 管件
数据列表 FQD3N60C, FQU3N60C 产品相片 DPAK_369D−01 产品变化通告 Passivation Material Change 14/May/2008 产品目录绘图 I-PAK, I2PAK Pkg 标准包装 70类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 QFET™FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.4A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 3.4 欧姆 @ 1.2A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 14nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 565pF @ 25V 功率 - 50W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商设备封装 I-Pak 包装 管件
dzsc/19/0096/19009680.jpg数据列表 TN25, TxNx25 Series 其它有关文件 TYN825 View All Specifications 产品目录绘图 SCR TO-220AB 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 SCR - 单个系列 -SCR 型 标准恢复型 电压 - 断路 800V 电压 - 栅极触发器 (Vgt)() 1.3V 电压 - 导通状态 (Vtm)() 1.6V 电流 - 导通状态 (It (AV))() 16A 电流 - 导通状态 (It (RMS))() 25A 电流 - 栅极触发电流 (Igt)() 40mA 电流 - 维持(Ih) 50mA 电流 - 断开状态() 5µA 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm) 300A, 314A 工作温度 -40°C ~ 125°C 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 497-3793-5"