【韩国美格纳】高压MOS管/场效应MOS管 MDP9N50TH
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | MAGNACHIP | |
| 型号： | MDP9N50TH | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
| 集成电路IC元器件产品图片 |
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| 电子元器件产品 |
韩国美格纳: MDP9N50TH MDF9N50TH MDP13N50TH MDF13N50TH MDP18N50TH |
| 集成电路IC 质量 服务 |
全新原装;散新拆机包测. |
| 电子IC供应商联系方式 |
联系地址：广东省 深圳市 福田区 华强三期佳和大厦3A132 联系电话：13410377061 传真号码：0754-82894329 |
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仙童代理分销 FDS9926A 场效应管 质量保证特价
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Dual Dual Drain 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.03 Ohm @ 4.5 V 正向跨导 gFS（值/最小值） : 22 S 汲极/源极击穿电压: 20 V 闸/源击穿电压: /- 10 V 漏极连续电流: 6.5 A 功率耗散: 2000 mW 工作温度: 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow 封装: Reel 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 2500 零件号别名: FDS9926A_NL
【电焊机应用】IRFP450 IRFP450PBF 原装/拆机场效应二三极管
信息内容：【电焊机应用】IRFP450 IRFP450PBF 进口原装场效应管 【电焊机应用】IRFP450 IRFP450PBF 进口原装场效应管 IRFP450 IRFP450PBF产品规格 参数 数据列表 IRFP450 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2 标准包装 500类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 14A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 400 毫欧 @ 8.4A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 150nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2600pF @ 25V 功率 - 190W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 产品目录页面 1529 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFP450PBF
