价 格: | 0.07 | |
品牌: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号: | FDS9926A | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
开启电压: | 33(V) | |
夹断电压: | 33(V) | |
跨导: | 33(μS) | |
极间电容: | 33(pF) | |
低频噪声系数: | 33(dB) | |
漏极电流: | 33(mA) | |
耗散功率: | 33(mW) |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Dual Dual Drain
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.03 Ohm @ 4.5 V
正向跨导 gFS(值/最小值) : 22 S
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: /- 10 V
漏极连续电流: 6.5 A
功率耗散: 2000 mW
工作温度: 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 2500
零件号别名: FDS9926A_NL
【电焊机应用】IRFP450 IRFP450PBF 进口原装场效应管 【电焊机应用】IRFP450 IRFP450PBF 进口原装场效应管 IRFP450 IRFP450PBF产品规格 参数 数据列表 IRFP450 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2 标准包装 500类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 14A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 400 毫欧 @ 8.4A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 150nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2600pF @ 25V 功率 - 190W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 产品目录页面 1529 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFP450PBF
IXYS全新原装进口场效应管 IXTQ82N25P IXYS全新原装进口场效应管 IXTQ82N25P IXTQ82N25P产品规格 参数 PDF 制造商: IXYS RoHS: 详细信息 晶体管极性: N Channel 汲极/源极击穿电压: 250 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 82 A 电阻汲极/源极 RDS(导通): 35 mOhms 配置: Single 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3P 封装: Tube 下降时间: 22 ns 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 500000 mW 上升时间: 20 ns 工厂包装数量: 30 典型关闭延迟时间: 78 ns