天旺创立于1991年,在近20年的市场博弈中,凭借着“天旺”人持之以恒的努力,在中国电子信息产业讯速发展的的契机下,使“天旺”发展成为产、供、销一条龙,科、工、贸一体化的新型高新技术集团公司。
三极管的名称来源
由于三极管的结构和外形特征,它有三个接出来的端点,所以便被形象的命名为三极管。
封装形式
指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现。
三极管的分类
晶体三极管的种类很多,分类方法也有多种。下面按用途、频率、功率、材料等进行分类。
1)按材料和极性分有硅材料的NPN与PNP三极管,锗材料的NPN与PNP三极管。
2)按用途分有高、中频放大管、低频放大管、低噪声放大管、光电管、开关管、高反压管、达林顿管、带阻尼的三极管等。
3)按功率分有小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管。
4)按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管。
5)按制作工艺分有平面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管。
6)按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。
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天旺以电子元器件为着陆点,潜心二、三极管领域近20年,是电子元器件产业二、三极管领域执着的守候者,立志做中国本土的电子元器件通路商。 二极管的概述 二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode),另外,还有早期的真空电子二极管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。 二极管的反向击穿 齐纳击穿 反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。 雪崩击穿 另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值...
天旺创立于1991年,在近20年的市场博弈中,凭借着“天旺”人持之以恒的努力,在中国电子信息产业讯速发展的的契机下,使“天旺”发展成为产、供、销一条龙,科、工、贸一体化的新型高新技术集团公司。 二极管的概述 二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode),另外,还有早期的真空电子二极管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。 下列为比较经常用到的二极管参数 05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW, 05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW, 05Z13X 硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW, 05Z15Y 硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW, 05Z18Y 硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW, 1N4001 硅整流二极管 50V...