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供应贴片二极管,贴片二极管特性|工作原理|类型|二极管参数

价 格: 面议
型号/规格:全系列
品牌/商标:HT
封装形式:全系列
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:卷带编带包装

  天旺科技致力于成为“中国本土的电子元器件通路商”、“电子元器件二、三极管领域龙头”。天旺的腾飞,得益于的人才策略,“人尽其才,物尽其用”是天旺用人的一惯宗旨。人才源源不断的加入,保证了天旺服务于电子信息产业的宏大抱负得以实现,也是天旺近20年称霸深圳电子元器件二、三极管领域的秘密。

 

      二极管的概述
  二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode),另外,还有早期的真空电子二极管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。


  二极管的特性
  二极管(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调电容器。   大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断 (称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性,而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。   早期的二极管包含“猫须晶体("Cat's Whisker" Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(Thermionic Valves)”)。现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。


  二极管的工作原理
  晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。


  二极管的类型
  二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。


  部分常用二极管参数
  下列为比较经常用到的二极管参数
  05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,
  05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW,
  05Z13X 硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW,
  05Z15Y 硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW,
  05Z18Y 硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW,
  1N4001 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)
  1N4002 硅整流二极管 100V, 1A,
  1N4003 硅整流二极管 200V, 1A,
  1N4004 硅整流二极管 400V, 1A,
  1N4005 硅整流二极管 600V, 1A,
  1N4006 硅整流二极管 800V, 1A,
  1N4007 硅整流二极管 1000V, 1A,
  1N4148 二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V,
  1N5391 硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A) 1N5392 硅整流二极管 100V,1.5A,
  1N5393 硅整流二极管 200V,1.5A,
  1N5394 硅整流二极管 300V,1.5A,
  1N5395 硅整流二极管 400V,1.5A,
  1N5396 硅整流二极管 500V,1.5A,
  1N5397 硅整流二极管 600V,1.5A,
  1N5398 硅整流二极管 800V,1.5A,
  1N5399 硅整流二极管 1000V,1.5A,
  1N5400 硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)
  1N5401 硅整流二极管 100V,3A,
  1N5402 硅整流二极管 200V,3A,
  1N5403 硅整流二极管 300V,3A,
  1N5404 硅整流二极管 400V,3A,
  1N5405 硅整流二极管 500V,3A,
  1N5406 硅整流二极管 600V,3A,
  1N5407 硅整流二极管 800V,3A,
  1N5408 硅整流二极管 1000V,3A


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信息内容:

天旺以电子元器件为着陆点,潜心二、三极管领域近20年,是电子元器件产业二、三极管领域执着的守候者,立志做中国本土的电子元器件通路商。   三极管的概述   半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。   三极管的主要参数   特征频率fT   当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。   工作电压/电流   用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。   hFE   电流放大倍数。   VCEO   集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。   PCM   允许耗散功率。 dzsc/18/9620/18962033.jpg

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供应晶体三极管,晶体三极管概述|晶体三极管作用|三极管分类

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