霍尼韦尔带放大超低压硅压力传感器DC005NDR5
| 价 格： | 1.00 | |
| 材料： | 陶瓷 | |
| 种类： | 压力 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 防护等级： | 0.00 | |
| 型号/规格： | DC005NDR5 | |
| 线性度： | 0.00（%F.S.） | |
| 迟滞： | 0.0（%F.S.） | |
| 重复性： | 0.0（%F.S.） | |
| 漂移： | 0.0 | |
| 分辨率： | 0.0 | |
| 品牌/商标： | Honeywell/霍尼韦尔 | |
| 输出信号： | 咨询 | |
| 灵敏度： | 0.0 | |
| 制作工艺： | 集成 | |
| 应用范围： | 其他 |
量程：0-5inH2O
输出方式：mV
温度补偿：是
过载压力：2倍量程
封装：--
型号：DC005NDR5
霍尼韦尔带放大超低压压力传感器DC005NDR5将SURSENSE的，高精度的硅敏感特性和的ASIC芯片技术结合在一起，是最精密、最耐用的硅压传感器。SURSENSE技术，提供了动态自补偿，从根本上减少了由于温度、自热、长期稳定性和位置灵敏而引起的漂移误差，霍尼韦尔带放大超低压压力传感器DC005NDR5带温度补偿和放大
dzsc/18/9507/18950715.jpg
优势特点
超低压力检测达到1”水柱
内有ASIC
差压
1.0~6.0Vdc固定输出
补偿温度为0～50度
线性和磁滞的组合误差＜±0.25％满量程
性能参数
压力范围：0-5inH2O
温度补偿：0～50度
工作温度：-25～85度
储藏温度：-40～125度
压力类型：差压
接触介质：硅片隔离，玻璃填充尼龙，硅酮，和铝陶瓷
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- 所属城市：广东 深圳
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霍尼韦尔硅压压力传感器SCC300SMT
信息内容：型号：SCC300SMT量程：0~300psig输出方式：mV温度补偿：是过载压力：2倍量程封装：SMTdzsc/18/9507/18950717.jpg霍尼韦尔硅压压力传感器SCC300SMT在被恒流源驱动时提供具有温度稳定输出且成本极低的传感元件。这种集成电路的硅压力传感器可用于不需要在宽温区内保持高精度，但要求成本低的应用场合。 SMT系列提供标准表面安装封装，带可选的导气管以地适合应用。本系列硅压力传感器可用于测定从0至5 psig一直到0至300psi范围内的绝压和表压。在便携应用中建议用脉冲功率以取得精度及保存电池电力性能参数输入 工作温度：-40°C至＋125°C 补偿温度：0°C至＋50°C 供电电流：MaxIs＝＋1.5mA 压力量程：300PSI 线性度：滞后和可重复性0.2％FSS（典型值） 零点偏置：-10mV 温度对量程的影响：0.25％FSS（典型值） 温度对偏移的影响：0.5％FSS（典型值） 偏移量程的长期稳定性：0.1％F。S（典型值） 响应时间（10％至90％）：0.1mS
霍尼韦尔带放大超低压硅压力传感器DC005NDR4
信息内容：量程：0-5inH2O输出方式：mV温度补偿：是过载压力：2倍量程封装：--型号：DC005NDR4霍尼韦尔带放大超低压压力传感器DC005NDR4将SURSENSE精确的，高精度的硅敏感特性和的ASIC芯片技术结合在一起，是最精密、最耐用的硅压传感器。SURSENSE技术，提供了动态自补偿，从根本上减少了由于温度、自热、长期稳定性和位置灵敏而引起的漂移误差，霍尼韦尔带放大超低压压力传感器DC005NDR4带温度补偿和放大优势特点超低压力检测达到1”水柱内有ASIC差压0.25~4.25Vdc固定输出补偿温度为0～50度线性和磁滞的组合误差＜±0.25％满量程性能参数压力范围：0-5inH2O温度补偿：0～50度工作温度：-25～85度储藏温度：-40～125度压力类型：差压接触介质：硅片隔离，玻璃填充尼龙，硅酮，和铝陶瓷 dzsc/18/9507/18950718.jpg
