霍尼韦尔硅压压力传感器SCC300SMT
| 价 格： | 1.00 | |
| 材料： | 其他 | |
| 种类： | 压力 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 防护等级： | 0.00 | |
| 型号/规格： | SCC300SMT | |
| 线性度： | 0.00（%F.S.） | |
| 迟滞： | 0.00（%F.S.） | |
| 重复性： | 0.00（%F.S.） | |
| 漂移： | 0.00 | |
| 分辨率： | 0.00 | |
| 品牌/商标： | Honeywell/霍尼韦尔 | |
| 输出信号： | 咨询 | |
| 灵敏度： | 0.00 | |
| 制作工艺： | 集成 |
型号：SCC300SMT
量程：0~300psig
输出方式：mV
温度补偿：是
过载压力：2倍量程
封装：SMT
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霍尼韦尔硅压压力传感器SCC300SMT在被恒流源驱动时提供具有温度稳定输出且成本极低的传感元件。这种集成电路的硅压力传感器可用于不需要在宽温区内保持高精度，但要求成本低的应用场合。
SMT系列提供标准表面安装封装，带可选的导气管以地适合应用。本系列硅压力传感器可用于测定从0至5 psig一直到0至300psi范围内的绝压和表压。在便携应用中建议用脉冲功率以取得精度及保存电池电力
性能参数
输入
工作温度：-40°C至＋125°C
补偿温度：0°C至＋50°C
供电电流：MaxIs＝＋1.5mA
压力量程：300PSI
线性度：滞后和可重复性0.2％FSS（典型值）
零点偏置：-10mV
温度对量程的影响：0.25％FSS（典型值）
温度对偏移的影响：0.5％FSS（典型值）
偏移量程的长期稳定性：0.1％F。S（典型值）
响应时间（10％至90％）：0.1mS
- 所属城市：广东 深圳
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霍尼韦尔带放大超低压硅压力传感器DC005NDR4
信息内容：量程：0-5inH2O输出方式：mV温度补偿：是过载压力：2倍量程封装：--型号：DC005NDR4霍尼韦尔带放大超低压压力传感器DC005NDR4将SURSENSE精确的，高精度的硅敏感特性和的ASIC芯片技术结合在一起，是最精密、最耐用的硅压传感器。SURSENSE技术，提供了动态自补偿，从根本上减少了由于温度、自热、长期稳定性和位置灵敏而引起的漂移误差，霍尼韦尔带放大超低压压力传感器DC005NDR4带温度补偿和放大优势特点超低压力检测达到1”水柱内有ASIC差压0.25~4.25Vdc固定输出补偿温度为0～50度线性和磁滞的组合误差＜±0.25％满量程性能参数压力范围：0-5inH2O温度补偿：0～50度工作温度：-25～85度储藏温度：-40～125度压力类型：差压接触介质：硅片隔离，玻璃填充尼龙，硅酮，和铝陶瓷 dzsc/18/9507/18950718.jpg
霍尼韦尔XSC系列低成本硅压压力传感器
信息内容：霍尼韦尔XSC系列低成本硅压压力传感器，集中了硅结构传感技术，温度补偿，校正，于—体，且低成本的封装。XSX系列硅压压力传感器不带温度补偿，XSC系列硅压压力传感器带温度补偿，它们的设计，成本低，尺寸小，适合于OEM应用dzsc/18/9507/18950719.jpg 霍尼韦尔XSC系列低成本硅压压力传感器数据参数： 型号XSCL和XSC 最小值典型值值供电电压3.012.016.0输入阻抗5.0-----输出阻抗--3.0---工作温度-25--- 85储存温度-40--- 125安全压力3X------破坏压力5X------XSC绝压(12 /-0.01VDC供电，25℃)满量程压力XSC满量程输出(mv)（psi）最小值典型值值5576063158560953085909560959095100---100105150---------XSCL/XSC表压和差压输出(12 /-0.01VDC供电，25℃)满量程压力XSCL满量程输出(mv)（psi）最小值典型值值4英寸水柱23252710英寸水柱1920211171819557606315859095308590956095100105100859095150--------- "
