台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B4545K-A3（蓝光）双电极
| 价 格： | 面议 | |
| 是否提供加工定制： | 否 | |
| 种类： | LED芯片 | |
| 型号/规格： | EP-B4545K-A3 | |
| 品牌/商标： | 台湾光宏 | |
| 颜色： | 蓝色 | |
| 形状： | 方片 | |
| 大小： | 45*45（mil） | |
| 亮度： | 超高亮 |
| 目的 | |||
本规格针对光宏科技之 42mil InGaN 蓝光LED 晶粒 (EP-B4545K-A3) 之相关基本特性进行说明，以作为客户应用时之参考资料。 | |||
| 产品特性 | |||
本产品为标准蓝宝石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED 单面双电极结构，以具有专利之透明导电层作为P-GaN 之奥姆接触层(Ohmic contact layer)，并以3.5um Au 金属层作为焊线电极(Bonding pad)。 | |||
| 外观尺寸 | |||
长度: 1105±30um (45mil) | |||
| 光电特性 | |||
| Test parameter | Condition | Min | Typ | Max | Unit |
| Dominant wavelength(Wd) | 350mA | 445 | - | 475 | nm |
| Radiant intensity(I) | 350mA | 240 | - | 560 | mW/sr |
| Forward voltage(Vf4) | 10uA | 2 | - | 2.5 | V |
| Forward voltage(Vf1) | 350mA | 2.8 | - | 3.6 | V |
| Reverse current (Ir) | -10V | 0 | - | 2 | uA |
- 所属城市：上海 上海市
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台湾光宏 大功率 LED芯片，EP-B3535A-A3
信息内容：目的本規格書針對光鋐科技之35mil InGaN藍光LED晶粒(EP-B3535A-A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。产品特性本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED單面雙電極結構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmic contactlayer)，並以2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 外观尺寸长度:865±30um宽度: 865±30um 厚度:150±10um焊垫直径:2±0.2um焊垫厚度:2±0.2um 光电特性 Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)350mA445-475nmRadiant intensity(I)350mA150-410mW/srForward voltage(Vf4)10uA2.0-2.5VForward voltage(Vf1)350mA2.8-3.6VReverse current (Ir)-5V0-2uA
大功率 LED芯片 EP-G4545V-A3（绿光） 85-110LM 台湾光宏
信息内容：目的本規格書針對光鋐科技之45mil InGaN/GaN绿光LED晶粒(EP-G4545V-A3)之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。。产品特性本產品為InGaN/GaN磊晶層以金屬介面結合(Metal bonding)於Ｓi基板，P-pad在上雙電極垂直結構，並以1.2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。為大尺寸、高亮度產品，其優異的特性適合一般照明以及指示應用。 外观尺寸长度:1140±10um宽度: 1140±10um 厚度:1.2±0.1um焊垫直径: 100±10um焊垫厚度:150±10um 光电特性 Test parameterConditionMinTypMaxUnitDominant wavelength(Wd)350mA500-540nmRadiant intensity(I)350mA15700-32600mW/srForward voltage(Vf4)10uA1.7-2.5VForward voltage(Vf1)350mA2.8-3.8VReverse current (Ir)-5V0-2uA
