供应电磁炉电容 1200V 0.27 UF 全面现货 直销 诚信供应商
| 价 格： | 0.80 | |
| 品牌： | 国产 | |
| 型号： | 1200V0.27UF | |
| 介质材料： | 合金电解 | |
| 应用范围： | 滤波 | |
| 外形： | 长方形 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | 超高频 | |
| 调节方式： | 固定 | |
| 引线类型： | 同向引出线 | |
| 允许偏差： | ±20（%） | |
| 耐压值： | 1600（V） | |
| 等效串联电阻(ESR)： | 0.27（mΩ） | |
| 标称容量： | 0.27（uF） | |
| 损耗： | 20 | |
| 额定电压： | 1200（V） | |
| 绝缘电阻： | 10（mΩ） | |
| 温度系数： | 105 |
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批发供应贴片电容1206 105pfTDK/风华、三星电容
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信息内容：NPN EBC 低频放大 50V0.5A0.625WC9013 NPN三极管作为音频放大和收音机1W推挽输出参数符号测试条件最小值典型值值单 位集电极漏电流ICBO VCB=30V,IE=0 100 nA发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 25 V发射极、基极击穿电压BVEBO IE=100μA,IC=0 5 V集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 30 V集电极、发射极饱和压降VCE(sat)IC=500mA,IB=50mA 0.6 V基极、发射极饱和压降VBE(sat)IC=500mA,IB=50mA 1.2 V基极、发射极压降VBE VCE=1V,IC=10mA 1.0 V直流电流增益HFE1 VCE=1V,IC=50mA 96 300HFE2 VCE=1V,IC=500mA 401.2参数符号标称值单位集电极、基极击穿电压VCBO 30 V集电极、发射极击穿电压VCEO 25 V发射极、基极击穿电压VEBO 5 V集电极电流IC 500 mA集电极功率PC 625 mW结温TJ 150 ℃贮存温TSTG -55-150 ℃6发射△电参数（Ta=25℃）（按HEF1分类）标准分档： F：96-135 G：112-166 H:144-202 I:200-300TO-921. 发射极 E2. 基 极 B3. 集电极 CF G H1 H2 I1 I296-120 120-150 150-170 170-200 200-250 250-300
