价 格: | 23.00 | |
品牌: | Samsung/三星 | |
型号: | 1206 105PF | |
介质材料: | 钽电解 | |
应用范围: | 滤波 | |
外形: | 方块状 | |
功率特性: | 大功率 | |
频率特性: | 超高频 | |
调节方式: | 固定 | |
引线类型: | 无引线 | |
允许偏差: | ±5(%) | |
耐压值: | 50(V) | |
等效串联电阻(ESR): | 110(mΩ) | |
标称容量: | 1(uF) | |
损耗: | 10 | |
额定电压: | 50(V) | |
绝缘电阻: | 0.1(mΩ) | |
温度系数: | 105 |
广州市滨耀电子是一家专门经营十几年的贴片厂家 产品有贴片电阻 贴片电容 贴片三极管 贴片二极管 封装有0402 0603 0805 1206 1815 2512 等一系列 联系人 杨海滨 电话 13760835480 工作QQ 381864167
NPN EBC 低频放大 50V0.5A0.625WC9013 NPN三极管作为音频放大和收音机1W推挽输出参数符号测试条件最小值典型值值单 位集电极漏电流ICBO VCB=30V,IE=0 100 nA发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 25 V发射极、基极击穿电压BVEBO IE=100μA,IC=0 5 V集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 30 V集电极、发射极饱和压降VCE(sat)IC=500mA,IB=50mA 0.6 V基极、发射极饱和压降VBE(sat)IC=500mA,IB=50mA 1.2 V基极、发射极压降VBE VCE=1V,IC=10mA 1.0 V直流电流增益HFE1 VCE=1V,IC=50mA 96 300HFE2 VCE=1V,IC=500mA 401.2参数符号标称值单位集电极、基极击穿电压VCBO 30 V集电极、发射极击穿电压VCEO 25 V发射极、基极击穿电压VEBO 5 V集电极电流IC 500 mA集电极功率PC 625 mW结温TJ 150 ℃贮存温TSTG -55-150 ℃6发射△电参数(Ta=25℃)(按HEF1分类)标准分档: F:96-135 G:112-166 H:144-202 I:200-300TO-921. 发射极 E2. 基 极 B3. 集电极 CF G H1 H2 I1 I296-120 120-150 150-170 170-200 200-250 250-300
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