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IXYS全新原装进口场效应管IXTQ80N28T

价 格: 面议
品牌:IXY美国电报半导体
型号:IXTQ80N28T
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-TPBM/三相桥
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GaAS-FET砷化镓
开启电压:22(V)
夹断电压:22(V)
跨导:22(μS)
极间电容:22(pF)
低频噪声系数:22(dB)
漏极电流:22(mA)
耗散功率:22(mW)

IXYS全新原装进口场效应管IXTQ80N28T

 

IXYS全新原装进口场效应管IXTQ80N28T

 

IXTQ80N28T产品规格  参数  PDF

 

Datasheets IXTQ80N28T
Standard Package 30
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series -
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 280V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 115nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5000pF @ 25V
Power - Max 500W
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package TO-3P
Packaging Tube

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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