IRF7832TRPBF F7832 SOP-8 IR原装公司 30V 20A 2N-CH
| 价 格： | 1.98 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRF7832TRPBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 30（V） | |
| 夹断电压： | 30（V） | |
| 跨导： | 20（μS） | |
| 极间电容： | 2（pF） | |
| 低频噪声系数： | 2（dB） | |
| 漏极电流： | 2000（mA） | |
| 耗散功率： | 100（mW） |
| IRF7832PbF |
| 8-SOIC |
| IR Hexfet 8-SOIC |
| 4,000 |
| 離散半導體產品 |
| FET - 單路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N通道，金屬氧化物 |
| 邏輯電平閘極 |
| 4 毫歐姆 @ 20A, 10V |
| 30V |
| 20A |
| 2.32V @ 250µA |
| 51nC @ 4.5V |
| 4310pF @ 15V |
| 2.5W |
| 表面黏著式 |
| 8-SOIC （0.154", 3.90mm寬） |
| 編帶和捲軸封裝(TR) |
| 8-SO |
| 1533 (TW2010-11 PDF) |
| IRF7832PBFTR |
- 所属城市：广东 深圳
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IRF630NPBF IRF630 IRF630N 全新原装IR公司 TO-220 9A 200V
信息内容：規格書IRF630PBF產品相片TO-220AB PKG產品目錄繪圖IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2標準包裝1,000類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列-FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點標準開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C400 毫歐姆 @ 5.4A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)200V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C9AId時的Vgs(th)（值）4V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs43nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)800pF @ 25V功率 - 74W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3封裝管裝供應商設備封裝TO-220AB產品目錄頁面1538 (TW2010-11 PDF)其他名稱*IRF630PBF"
ZXM61P02FTA MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3 ZETEX 全新
信息内容：数据列表ZXM61P02FTC产品相片SOT-23 PkgSOT-23-3 PKG产品目录绘图SOT-23SOT-23 Top标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 610mA, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C900mAId 时的 Vgs(th)（）700mV @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs3.5nc @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)150pF @ 15V功率 - 625mW安装类型表面贴装封装/外壳SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3包装带卷 (TR)供应商设备封装*产品目录页面1429 (CN2010-11 Interactive)1429 (CN2010-11 PDF)其它名称ZXM61P02FTR"
