IRF630NPBF IRF630 IRF630N 全新原装IR公司 TO-220 9A 200V
| 价 格： | 1.45 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRF630NPBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | V/前置(输入级) | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | GaAS-FET砷化镓 | |
| 开启电压： | 200（V） | |
| 夹断电压： | 010（V） | |
| 跨导： | 25.0520（μS） | |
| 极间电容： | 40（pF） | |
| 低频噪声系数： | 2.01.45（dB） | |
| 漏极电流： | 540.（mA） | |
| 耗散功率： | 543（mW） |
| IRF630PBF |
| TO-220AB PKG |
| IR(F,L)x Series Side 1 IR(F,L)x Series Side 2 |
| 1,000 |
| 離散半導體產品 |
| FET - 單路 |
| - |
| MOSFET N通道，金屬氧化物 |
| 標準 |
| 400 毫歐姆 @ 5.4A, 10V |
| 200V |
| 9A |
| 4V @ 250µA |
| 43nC @ 10V |
| 800pF @ 25V |
| 74W |
| 通孔 |
| TO-220-3 |
| 管裝 |
| TO-220AB |
| 1538 (TW2010-11 PDF) |
| *IRF630PBF |
- 所属城市：广东 深圳
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信息内容：数据列表ZXM61P02FTC产品相片SOT-23 PkgSOT-23-3 PKG产品目录绘图SOT-23SOT-23 Top标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 610mA, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C900mAId 时的 Vgs(th)（）700mV @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs3.5nc @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)150pF @ 15V功率 - 625mW安装类型表面贴装封装/外壳SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3包装带卷 (TR)供应商设备封装*产品目录页面1429 (CN2010-11 Interactive)1429 (CN2010-11 PDF)其它名称ZXM61P02FTR"
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