IXFK360N10T
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IXYS/艾赛斯 | |
| 型号： | IXFK360N10T | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | D/变频换流 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | na（V） | |
| 夹断电压： | na（V） | |
| 跨导： | na（μS） | |
| 极间电容： | na（pF） | |
| 低频噪声系数： | na（dB） | |
| 漏极电流： | na（mA） | |
| 耗散功率： | na（mW） |
| Product Detail | Back |
| Part Num: | IXFK360N10T | |
| Description: | POWER DEVICES > DISCRETE MOSFETs > N-Channel: Trench Gate Power MOSFETs > Trench HiperFETs | |
| Configuration: | Single | |
| Package Style: | TO-264 | |
| Status: | Active Part | |
| Support Docs: |
|
Parameter 上海元限电子科技有限公司公司信息未核实
- 所属城市：上海
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- 联系人： 王洋
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详细内容>>IR MOSFET IRF640NPBF
信息内容：SpecificationsParameterValuePackage TO-220ABCircuit DiscreteVBRDSS (V) 200VGs Max (V) 20RDS(on) Max 10V (mOhms) 150.0ID @ TC = 25C (A) 18ID @ TC = 100C (A) 13Qg Typ (nC) 44.7Qgd Typ (nC) 22.0Rth(JC) (K/W) 1.00Power Dissipation @ TC = 25C (W) 150Part Status ActiveEnvironmental Options Available PbF and LeadedPackage Class Can Thru-Hole"
详细内容>>MOSFET IRFP4568PBF
信息内容：SpecificationsParameterValuePackage TO-247ACCircuit DiscreteVBRDSS (V) 150VGs Max (V) 30RDS(on) Max 10V (mOhms) 5.9ID @ TC = 25C (A) 171ID @ TC = 100C (A) 121Qg Typ (nC) 151.0Qgd Typ (nC) 55.0Rth(JC) (K/W) 0.29Power Dissipation @ TC = 25C (W) 517Part Status Active & PreferredEnvironmental Options Available PbFPackage Class Can Thru-Hole
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