IR MOSFET IRF640NPBF
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF640NPBF | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | na（V） | |
| 夹断电压： | na（V） | |
| 低频跨导： | na（μS） | |
| 极间电容： | na（pF） | |
| 低频噪声系数： | na（dB） | |
| 漏极电流： | na（mA） | |
| 耗散功率： | na（mW） |
| Parameter | Value |
| Package | TO-220AB |
| Circuit | Discrete |
| VBRDSS (V) | 200 |
| VGs Max (V) | 20 |
| RDS(on) Max 10V (mOhms) | 150.0 |
| ID @ TC = 25C (A) | 18 |
| ID @ TC = 100C (A) | 13 |
| Qg Typ (nC) | 44.7 |
| Qgd Typ (nC) | 22.0 |
| Rth(JC) (K/W) | 1.00 |
| Power Dissipation @ TC = 25C (W) | 150 |
| Part Status | Active |
| Environmental Options Available | PbF and Leaded |
| Package Class Can | Thru-Hole |
上海元限电子科技有限公司
公司信息未核实
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MOSFET IRFP4568PBF
信息内容：SpecificationsParameterValuePackage TO-247ACCircuit DiscreteVBRDSS (V) 150VGs Max (V) 30RDS(on) Max 10V (mOhms) 5.9ID @ TC = 25C (A) 171ID @ TC = 100C (A) 121Qg Typ (nC) 151.0Qgd Typ (nC) 55.0Rth(JC) (K/W) 0.29Power Dissipation @ TC = 25C (W) 517Part Status Active & PreferredEnvironmental Options Available PbFPackage Class Can Thru-Hole
IXFP76N15T2
信息内容：Part Num:IXFP76N15T2Description:POWER DEVICES > DISCRETEMOSFETs > N-Channel: Trench Gate Power MOSFETs > TrenchT2HiperFETsConfiguration:SinglePackage Style: TO-220Status:Active PartSupport Docs:DataSheet RecommendedAlternativesCompetingPartsParameter
