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IXFH160N15T2

价 格: 面议
品牌:IXYS/艾赛斯
型号:IXFH160N15T2
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:D/变频换流
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:na(V)
夹断电压:na(V)
跨导:na(μS)
极间电容:na(pF)
低频噪声系数:na(dB)
漏极电流:na(mA)
耗散功率:na(mW)

Product DetailBack
Part Num:IXFH160N15T2
Description:POWER DEVICES > DISCRETE
MOSFETs > N-Channel: Trench Gate Power MOSFETs > TrenchT2
HiperFETs
Configuration:Single
Package Style: TO-247
Status:Active Part
Support Docs:
DataSheet

 

 

 
Parameter

上海元限电子科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海
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信息内容:

ParameterValuePackage TO-220ABCircuit DiscreteVBRDSS (V) 100VGs Max (V) 20RDS(on) Max 10V (mOhms) 9.0ID @ TC = 25C (A) 97ID @ TC = 100C (A) 69Qg Typ (nC) 83.0Qgd Typ (nC) 27.0Rth(JC) (K/W) 0.65Power Dissipation @ TC = 25C (W) 230Part Status Active & PreferredEnvironmental Options Available PbFPackage Class Can Thru-Hole

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IRLR014N, IRLR014NTRPBF

信息内容:

SpecificationsParameterValuePackage D-PakCircuit DiscreteVBRDSS (V) 55VGs Max (V) 16RDS(on) Max 4.5V (mOhms) 210.0RDS(on) Max 10V (mOhms) 140.0ID @ TC = 25C (A) 10ID @ TC = 100C (A) 7.1Qg Typ (nC) 5.3Qgd Typ (nC) 2.9Rth(JC) (K/W) 5.3Power Dissipation @ TC = 25C (W) 28Part Status ActiveEnvironmental Options Available PbF and LeadedPackage Class Can Surface Mount with Leads

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