| 价 格: | 0.01 | |
| 品牌: | ST/意法 | |
| 型号: | W8NB100 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | P沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压: | 1(V) | |
| 夹断电压: | 11(V) | |
| 跨导: | 11(μS) | |
| 极间电容: | 11(pF) | |
| 低频噪声系数: | 1(dB) | |
| 漏极电流: | 11(mA) | |
| 耗散功率: | 1(mW) |
【产品型号】:W8NB100
【生产厂家】:ST
【封装型式】:TO-3P
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用途说明:
MOS管 1000V 8A 190W
联系电话18620281502 0754-82353767 邓先生
QQ1099645850
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