价 格: | 0.01 | |
漏极电流: | /(mA) | |
材料: | GE-P-FET锗P沟道 | |
种类: | 结型(JFET) | |
耗散功率: | /(mW) | |
跨导: | /(μS) | |
型号: | IRFP054N | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | /(V) | |
品牌: | IR/国际整流器 | |
用途: | MOS-INM/独立组件 | |
沟道类型: | P沟道 | |
夹断电压: | //(V) | |
导电方式: | 耗尽型 | |
低频噪声系数: | //(dB) | |
极间电容: | /(pF) |
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