热卖场效应管 SI2304DS
| 价 格： | 0.01 | |
| 品牌： | NXP VISHAY | |
| 型号： | SI2304DS | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | SIT静电感应 | |
| 开启电压： | 33（V） | |
| 夹断电压： | 33（V） | |
| 跨导： | 33（μS） | |
| 极间电容： | 33（pF） | |
| 低频噪声系数： | 33（dB） | |
| 漏极电流： | 33（mA） | |
| 耗散功率： | 33（mW） |
制造商: NXP
产品种类: MOSFET 小信号
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏极连续电流: 1.7 A
功率耗散: 830 mW
工作温度: 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Reel
最小工作温度: - 65 C
Standard Pack Qty: 3000
零件号别名: 934056633215 SI2304DS T/R
- 所属城市：广东 深圳
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专营场效应管FDS4953-NL
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Dual Dual Drain 晶体管极性: P-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.055 Ohm @ 10 V 正向跨导 gFS（值/最小值） : 10 S 汲极/源极击穿电压: 30 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 5 A 功率耗散: 2000 mW 工作温度: 175 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow 封装: Reel 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 2500 零件号别名: FDS4953_NL "
IR全新进口场效应管 IRFBG30PBF IRFBG30特价
信息内容：IR全新进口场效应管 IRFBG30PBF IRFBG30 IR全新进口场效应管 IRFBG30PBF IRFBG30 IRFBG30PBF IRFBG30 产品规格 参数 制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:1000 V闸/源击穿电压: /- 20 V漏极连续电流:3.1 A电阻汲极/源极 RDS（导通）:5 Ohms配置:Single工作温度: 150 C安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220AB封装:Tube下降时间:20 ns最小工作温度:- 55 C功率耗散:125 W上升时间:25 ns工厂包装数量:1000典型关闭延迟时间:89 ns
