IR全新进口场效应管 IRFBG30PBF IRFBG30特价
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | IRFBG30PBF IRFBG30 | |
| 材料： | SENSEFET电流敏感 | |
| 用途： | MW/微波 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
IR全新进口场效应管 IRFBG30PBF IRFBG30
IR全新进口场效应管 IRFBG30PBF IRFBG30
IRFBG30PBF IRFBG30 产品规格 参数
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:1000 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏极连续电流:3.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:5 Ohms
配置:Single
工作温度: 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB
封装:Tube
下降时间:20 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:125 W
上升时间:25 ns
工厂包装数量:1000
典型关闭延迟时间:89 ns
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 陈义伟
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仙童MOS型场效应管 FQP4P40 拆机包测 原装包退包换现货
信息内容：dzsc/18/8798/18879878.jpg制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: P-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 3.1 Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值） : 2.7 S 汲极/源极击穿电压: - 400 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 3.5 A 功率耗散: 85 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 50 零件号别名: FQP4P40_NL
代理IR场效应管 IRF3205PBF 全新原装 中国/菲律宾产地
信息内容：产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 8 m Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值） : 44 S 汲极/源极击穿电压: 55 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 98 A 功率耗散: 200 W 工作温度: 175 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 最小工作温度: - 55 C 代理IR场效应管 IRF3205PBF 全新原装 中国/菲律宾产地代理IR场效应管 IRF3205PBF 全新原装 中国/菲律宾产地
