| 价 格: | 1.80 | |
| 品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格: | FSEZ1016AMY | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | DC/直流 | |
| 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压: | 1(V) | |
| 夹断电压: | 1(V) | |
| 极间电容: | 1(pF) | |
| 低频噪声系数: | 1(dB) | |
| 漏极电流: | 1(mA) | |
| 耗散功率: | 1(mW) |
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IR 原装飞捷电子是的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌,意法半导体,FUJI,仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二极管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二极管,肖特基二极管,智能电源开关管,IC等全线无铅产品。产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/19/0012/19001260.jpg 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):0.19 Ohms 正向跨导 gFS(值/最小值):12 S汲极/源极击穿电压:500 V 闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:23 A 功率耗散:370 W工作温度: 150 C 安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube最小工作温度:- 55 C"
IR MOS 场效应管飞捷电子是的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌,意法半导体,FUJI,仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二极管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二极管,肖特基二极管,智能电源开关管,IC等全线无铅产品。产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/19/0042/19004298.jpg 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):0.028 Ohm @ 5 V 汲极/源极击穿电压:60 V闸/源击穿电压: /- 10 V 漏极连续电流:50 A功率耗散:150000 mW 工作温度: 175 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB封装:Tube 最小工作温度:- 55 C