现货热销IRLZ44PBF MOS 场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRLZ44PBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | SIT静电感应 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 低频跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
IR MOS 场效应管飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。
| 产品种类: | MOSFET 功率 |
| RoHS: | dzsc/19/0042/19004298.jpg 详细信息 |
| 配置: | Single |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通）: | 0.028 Ohm @ 5 V |
| 汲极/源极击穿电压: | 60 V |
| 闸/源击穿电压: | /- 10 V |
| 漏极连续电流: | 50 A |
| 功率耗散: | 150000 mW |
| 工作温度: | 175 C |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-220AB |
| 封装: | Tube |
| 最小工作温度: | - 55 C |
- 所属城市：广东 深圳
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场效应 IGBT 肖特基，达林顿，稳压管 三极管 FMG2G200US60
信息内容：FSC 仙童代理Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:IGBT Modules RoHS:dzsc/19/0056/19005683.jpg Details Configuration:Dual Collector-Emitter Breakdown Voltage:600 V Collector-Emitter Saturation Voltage:2.1 V Continuous Collector Current Ic Max:200 A Gate-Emitter Leakage Current: /- 100 nA Power Dissipation:695 W Package / Case:PM-HA Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V Maximum Gate Emitter Voltage:20 V Maximum Operating Temperature:150 C Minimum Operating Temperature:- 40 C Packaging:BULK
代理Trinno场效应管TMP7N60\TMPF7N60
信息内容：本公司韩国TRINNO的一级代理商，全力致力于TRINNO的MOSFET的推广 性比价优于美格纳，及国内知名的士兰微，目前三星，LG多在批量使用，可以申请样品测试。 "
