特价热销GBPC3512A MOS 场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR 国际整流半导体 | |
| 型号： | GBPC3512A | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 低频跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
IR 原装
飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。
| 产品种类: | 桥式整流器 |
| RoHS: | dzsc/18/8791/18879150.jpg 详细信息 |
| 产品: | Single Phase Bridge |
| 峰值反向电压: | 1200 V |
| 浪涌电流: | 500 A |
| 正向电压下降: | 1.1 V |
| 反向漏泄电流: | 5 uA |
| 工作温度: | 150 C |
| 封装 / 箱体: | Case GBPC-A |
| 封装: | Bulk |
| 最小工作温度: | - 55 C |
| 安装风格: | SMD/SMT |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 杨宝林
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热销飞兆PWM控制器FSEZ1016AMY
信息内容：制造商:Fairchild Semiconductor 产品种类:初级与次级侧 PWM 控制器 RoHS:dzsc/18/8796/18879696.jpg 详细信息 工作电源电压:25 V 工作温度: 105 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-7 封装:Reel 安装风格:SMD/SMT 输出电流:55 uA 输出电压:4.5 V 电源电流:3.5 mA网上报价仅供参考，订货前请电话确认！
特价热销IRFP23N50LPBF MOS 场效应管
信息内容：IR 原装飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/19/0012/19001260.jpg 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.19 Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值）:12 S汲极/源极击穿电压:500 V 闸/源击穿电压: /- 30 V漏极连续电流:23 A 功率耗散:370 W工作温度: 150 C 安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube最小工作温度:- 55 C"
