场效应管 SUB45N03-13L / SUB45N03 / 45N03
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | Vishay Siliconix | |
| 型号/规格： | SUB45N03-13L | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 3（V） | |
| 极间电容： | 2000（pF） | |
| 漏极电流： | 45,000（mA） | |
| 耗散功率： | 88,000（mW） |
SUB45N03-13L中文资料：
制造商 | Vishay Siliconix |
制造商零件编号 | SUB45N03-13L |
描述 | MOSFET N-CH 30V 45A D2PAK |
标准包装 | 800 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | HEXFET® |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 13毫欧 @ 45A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 45A |
Id时的 Vgs(th)（） | 3V @ 250mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 25V |
功率 - | 88W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
dzsc/18/8787/18878797.jpg
dzsc/18/8787/18878797.jpg
dzsc/18/8787/18878797.jpg
dzsc/18/8787/18878797.jpg
备注：
1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。
2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。
订购及咨询：
深圳市丰尔电子有限公司
电话：0755-83687516（7线）；
商务QQ：120279071
MSN：jason-yufo@hotmail.com
E-mail：yufo_ic@163.com
手机：13590258862/13531791171
更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨金海
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
场效应管 IRLZ24NL / LZ24NL
信息内容：IRLZ24NL中文资料：制造商International Rectifier制造商零件编号IRLZ24NL描述MOSFET N-CH 55V 18A TO-262类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C60毫欧 @ 11A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18AId时的 Vgs(th)（）2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)480pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型通孔封装/外壳TO-262-3（直引线）供应商设备封装TO-262包装管件 公司照片：dzsc/18/8798/18879802.jpgdzsc/18/8798/18879802.jpgdzsc/18/8798/18879802.jpgdzsc/18/8798/18879802.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 IRLZ24NL订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/ "
场效应管 BTS113A / BTS113
信息内容：BTS113A 中文资料: 制造商Infineon Technologies制造商零件编号BTS113A描述MOSFET N-CH 60V 11.5A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列TEMPFET®FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C170毫欧 @ 5.8A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.5AId时的 Vgs(th)（）2.5V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs-在 Vds 时的输入电容(Ciss)560pF @ 25V功率 - 40W安装类型通孔封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB包装带卷 (TR) 公司照片：dzsc/18/9937/18993713.jpgdzsc/18/9937/18993713.jpgdzsc/18/9937/18993713.jpgdzsc/18/9937/18993713.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线）； 商务QQ：120279071 MSN：jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机：13590258862/13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
