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场效应管 IRLZ24NL / LZ24NL

价 格: 面议
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRLZ24NL
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SP/特殊外形
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:2(V)
极间电容:480(pF)
漏极电流:18,000(mA)
耗散功率:3,800(mW)

IRLZ24NL中文资料:

制造商

International Rectifier

制造商零件编号

IRLZ24NL

描述

MOSFET N-CH 55V 18A TO-262

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

HEXFET®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C

60毫欧 @ 11A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)

55V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

18A

Id时的 Vgs(th)()

2V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

15nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

480pF @ 25V

功率 -

3.8W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3(直引线)

供应商设备封装

TO-262

包装

管件

 


公司照片:

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备注:

 

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IRLZ24NL订购及咨询:

 

深圳市丰尔电子有限公司

 

电话:0755-83687516(7线)

 

商务QQ:120279071

 

MSN: jason-yufo@hotmail.com

 

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  • 所属城市:广东 深圳
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信息内容:

IRF1503S中文资料:制造商International Rectifier制造商零件编号IRF1503STRLPBF描述MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C3.3毫欧 @ 140A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75AId时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)5730pF @ 25V功率 - 200W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷 (TR) 公司照片:dzsc/18/9951/18995112.jpgdzsc/18/9951/18995112.jpgdzsc/18/9951/18995112.jpgdzsc/18/9951/18995112.jpg 备注: 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。 IRF1503S订购及咨询: 深圳市丰尔电子有限公司 电话:0755-83687516(7线) 商务QQ:120279071 MSN: jason-yufo@hotmail.com E-mail:yufo_ic@163.com 手机: 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站:http://www.yufo-ic.cn/

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