价 格: | 1600.00 | |
品牌/商标: | 无锡华晶 | |
型号/规格: | CS8N60 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SP/特殊外形 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 3.2(V) | |
跨导: | 参见详细说明(μS) | |
极间电容: | 参见详细说明(pF) | |
耗散功率: | 参见详细说明(mW) |
CS8N60型硅N沟道VDMOS功率晶体管,主要用于电源适配器、充电器等线性放大和功率开关电路。
其特点如下:
1、开关速度快
2、通态电阻低
3、可并联使用
4、驱动简单
5、封装形式:TO-220AB
典型参考数据:
VDSS =600V
ID =8A
Ptot=125W (TC=25℃)
主要应用:各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。
以上价格为不含税价!
产品详细资料欢迎来电索取,本公司还提供产品应用技术支持!
本公司主营各类电子器件,主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。
产品品种有:PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。
欢迎来电洽谈。
3DD13003E1D硅NPN型功率开关晶体管,主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器及手机充电器等功率开关电路,是该类电子产品的核心部件。主要特点如下:1、 开关损耗低、可靠性高2、 高温特性好3、反向漏电流小4、电流特性好5、封装形式:TO-92 产品主要参数:BVCEO=400VIC=1.3APtot=0.8W (Ta=25℃) 公布价格为不含税价!本公司主营各类电子器件,主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。产品品种有:PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。欢迎来电洽谈。
我公司为士兰微代理商,SVD8N60F/T TO-200 8A 600V,原装 现货 特价 该产品部分相关参数如下:VDSS(漏源反向电压Drain to Source Voltage):600 V(Min.)ID(连续漏极电流Continuous Drain Current): 8A (@TC = 25°C)Ptot(耗散功率Total Power Dissipation)(TC=25℃): 147W/SVD8N60T 48 W/SVD8N60F极间电容(VGS=0 V, VDS=25V, f= 1MHz): Ciss(输入电容Input Capacitance):1095 pF(Typ.)Coss (输出电容Output Capacitance):93pF(Typ.)Crss(反馈电容Reverse Transfer Capacitance):2pF(Typ.)Qg(低栅电荷Low gate charge): 26.8 nC(Typ.)RDS(on)(低导通电阻Low RDS(on)): 0.96 Ω(Max.) 现货,质量好,价格优,属于高性价比产品。 主要应用:各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。 以上价格为不含税价! 产品详细资料欢迎来电索取,本公司还提供产品应用技术支持! 本公司主营各类电子器件,主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。产品品种有:PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。欢迎来电洽谈。