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现货供应场效应管(功率MOSFET) CS8N60 TO-220AB

价 格: 1600.00
品牌/商标:无锡华晶
型号/规格:CS8N60
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:SP/特殊外形
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:3.2(V)
跨导:参见详细说明(μS)
极间电容:参见详细说明(pF)
耗散功率:参见详细说明(mW)

CS8N60型硅N沟道VDMOS功率晶体管,主要用于电源适配器、充电器等线性放大和功率开关电路。

其特点如下:
1、开关速度快
2、通态电阻低
3、可并联使用
4、驱动简单
5、封装形式:TO-220AB

典型参考数据:

VDSS =600V
ID =8A
Ptot=125W (TC=25℃)

 

主要应用:各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。

 以上价格为不含税价

 产品详细资料欢迎来电索取,本公司还提供产品应用技术支持

 本公司主营各类电子器件,主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。

产品品种有:PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。

欢迎来电洽谈。

 

 

南京利瑞科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:江苏 南京
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 贺伟峰
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信息内容:

我公司为士兰微代理商,SVD8N60F/T TO-200 8A 600V,原装 现货 特价 该产品部分相关参数如下:VDSS(漏源反向电压Drain to Source Voltage):600 V(Min.)ID(连续漏极电流Continuous Drain Current): 8A (@TC = 25°C)Ptot(耗散功率Total Power Dissipation)(TC=25℃): 147W/SVD8N60T 48 W/SVD8N60F极间电容(VGS=0 V, VDS=25V, f= 1MHz): Ciss(输入电容Input Capacitance):1095 pF(Typ.)Coss (输出电容Output Capacitance):93pF(Typ.)Crss(反馈电容Reverse Transfer Capacitance):2pF(Typ.)Qg(低栅电荷Low gate charge): 26.8 nC(Typ.)RDS(on)(低导通电阻Low RDS(on)): 0.96 Ω(Max.) 现货,质量好,价格优,属于高性价比产品。 主要应用:各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。 以上价格为不含税价! 产品详细资料欢迎来电索取,本公司还提供产品应用技术支持! 本公司主营各类电子器件,主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。产品品种有:PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。欢迎来电洽谈。

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