供应场效应管（功率MOSFET）SVD8N60F/SVD8N60T
| 价 格： | 1400.00 | |
| 品牌/商标： | SILAN/士兰微 | |
| 型号/规格： | SVD8N60F/T | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | SP/特殊外形 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2~4（V） | |
| 极间电容： | 参见详细说明（pF） | |
| 漏极电流： | 参见详细说明（mA） | |
| 耗散功率： | 参见详细说明（mW） |
我公司为士兰微代理商，SVD8N60F/T TO-200 8A 600V，原装 现货 特价
该产品部分相关参数如下：
VDSS（漏源反向电压Drain to Source Voltage）：600 V(Min.)
ID（连续漏极电流Continuous Drain Current）: 8A (@TC = 25°C)
Ptot（耗散功率Total Power Dissipation）（TC=25℃）: 147W/SVD8N60T
48 W/SVD8N60F
极间电容(VGS=0 V, VDS=25V, f= 1MHz)：
Ciss（输入电容Input Capacitance）：1095 pF(Typ.)
Coss （输出电容Output Capacitance）：93pF(Typ.)
Crss（反馈电容Reverse Transfer Capacitance）：2pF(Typ.)
Qg(低栅电荷Low gate charge): 26.8 nC(Typ.)
RDS(on)(低导通电阻Low RDS(on)): 0.96 Ω(Max.)
现货，质量好，价格优，属于高性价比产品。
主要应用：各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。
以上价格为不含税价！
产品详细资料欢迎来电索取，本公司还提供产品应用技术支持！
本公司主营各类电子器件，主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。
产品品种有：PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。
欢迎来电洽谈。
- 所属城市：江苏 南京
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 贺伟峰
- 电话：025-87771568
- 传真：025-87771568
- 手机：
- QQ ：
供应专为节能灯设计的三极管3DD6012A1
信息内容：3DD6012A1硅NPN型功率开关晶体管，主要用于电子节能灯、电子镇流器及手机充电器的功率开关电路。其特点如下：1、 开关损耗低、可靠性高2、 高温特性好3、反向漏电流小4、电流特性好5、封装形式：TO-92主要用途：主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器及手机充电器等功率开关电路，是该类电子产品的核心部件。主要参数：BVCEO=530VIC=1.2APtot=0.8W （Ta=25℃） 以上价格为不含税价！本公司主营各类电子器件，主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。产品品种有：PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。欢迎来电洽谈。
现货供应功率场效应管（MOSFET）SMK0860P
信息内容：韩国AUK出品 韩国原产进口。品质保证，价格优惠。现货，质量好，价格优，属于高性价比产品。 该产品部分相关参数如下：VDSS（漏源反向电压Drain to Source Voltage）：600 V(Min.)ID（连续漏极电流Continuous Drain Current）: 7.5A (@TC = 25°C)Ptot（耗散功率Total Power Dissipation）: 117W（TC=25℃）Crss（反馈电容Reverse Transfer Capacitance）：9.7 pF(Typ.)Qg(低栅电荷Low gate charge): 22 nC(Typ.)RDS(on)(低导通电阻Low RDS(on)): 1.2 Ω(Max.) 主要应用：各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。 以上价格为不含税价！ 产品详细资料欢迎来电索取，本公司还提供产品应用技术支持！ 本公司主营各类电子器件，主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。产品品种有：PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。欢迎来电洽谈。"
