价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFP4468PBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-ARR/陈列组件 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 |
晶体管极性:ñ频道
系列:Universal Mate-N-Lok用于:Universal MATE-N-LOK Connectors接触极性:插座接触材料:黄铜接触镀层:Tin接触端子:压接导线尺寸(AWG)的:20AWG 到 14AWG公/母:母接触尺寸:14材料:黄铜每包数量:1电线尺码, AWG:20AWG电线尺码, AWG :14AWG电线尺码, AWG 最小:20AWG电线横截面积 :2mm²电线横截面积 最小:0.5mm²电缆直径, :5.1mm电缆直径, 最小:3.3mm???接方式:压接绝缘层直径, 值:5.1mm绝缘层直径, 最小值:3.3mm触点材料:Brass触点镀层:Tin连接器类型:Contact, Crimp连接器类型:接触、卷曲额定电压, 交流:600V额定电流:19A
产品技术参数典型关断延迟时间10 ns典型接通延迟时间8.7 ns典型栅极电荷@Vgs34 nC V @ 10典型输入电容值@Vds1530 pF V @ 25安装类型表面贴装宽度4mm封装类型SOIC尺寸5 x 4 x 1.5mm引脚数目8工作温度-55 °C功率耗散2500 mW栅源电压±20 V漏源电压100 V漏源电阻值0.022连续漏极电流7.3 A工作温度 150 °C每片芯片元件数目1类别功率 MOSFET通道模式增强通道类型N配置四漏极、单、三源长度5mm高度1.5mm