IR IRF7495TRPBF 场效应管 MOSFET
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF7495TRPBF | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
产品技术参数
| 典型关断延迟时间 | 10 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8.7 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1530 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 工作温度 | -55 °C | |
| 功率耗散 | 2500 mW | |
| 栅源电压 | ±20 V | |
| 漏源电压 | 100 V | |
| 漏源电阻值 | 0.022 | |
| 连续漏极电流 | 7.3 A | |
| 工作温度 | 150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
深圳市佰昇电子有限公司
公司信息未核实
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