| 价 格: | 2.00 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格: | IRF540NPBF | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 | |
| 用途: | L/功率放大 | |
| 品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式: | 增强型 |
IRF540NPBF 参数标准包装50
类别分离式半导体产品 家庭
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C44 毫欧 @ 16A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
Id 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA
原装无铅现货
dzsc/18/8779/18877919.jpg
本商行代理经销系列大小功率二三极管.场效应管.集成电路.SMD贴片元件.IGBT.电源模块.可控硅.MOS管.基准电源.军工高精密电子元器件.并可为您提供各种电子元器件配套服务.
经营的主要品牌包括 :SILICONI..、IR、FSC、 MAXIM 、 VISHY.AD 、MOTOROLA 、 PHILIPS 、 DALLAS 、 LT 、 NS 、TI、 DG 、 ADC 、 ADG 、 OP 、 DS 、 TDK 、 IDT 、 QMV 、 HARRIS 、 LEVEL. NEC 、 LXT 、LT.LTC. ALTERA 、 EL 、 MT 、 ML 、 MIC。稳压IC、BTS、LT、LM、LP、MIC、AS、EZ、AIC、LD、等 :SMD SOP SSOP QFP PLCC DIP TO220 TO263 封装(塑封、瓷封、金封,模块)全系列!
我们一直以诚信为基础,以质量优、价格合理为经营理念,以互信互惠为宗旨,以信誉、看长远、求共同发展为目标;竭诚为新老客户提供秀服务,竭力成为一流的IC经销商,同时热诚欢迎广大客商前来洽谈合作,成为长期、友好的合作伙伴,共创繁荣!
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场效应管FDP3652类别:分离式半导体产品家庭:MOSFET,GaNFET - 单系列:PowerTrench®FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点:标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:16 毫欧 @ 61A, 10V漏极至源极电压(Vdss):100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:61AId 时的 Vgs(th)():4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs:53nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2880pF @ 25V功率 - :150W安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 (直引线)
SS8050制造商:Fairchild Semiconductor 产品种类:Transistors Bipolar (BJT) 晶体管极性:NPN 集电极—发射极电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V 直流电集电极电流:1.5 A 直流集电极/Base Gain hfe Min:85 配置:Single 工作频率:100 MHz 工作温度: 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-92-3 Kinked Lead 封装:Ammo 集电极连续电流:1.5 A 最小工作温度:- 65 C 功率耗散:1 W 工厂包装数量:2000 原装现货 详见PDF 深圳市时代超想电子商行热卖本商行代理经销系列大小功率二三极管.场效应管.集成电路.SMD贴片元件.IGBT.电源模块.可控硅.MOS管.基准电源.军工高精密电子元器件.并可为您提供各种电子元器件配套服务.本商行代理经销系列大小功率二三极管.场效应管.集成电路.SMD贴片元件.IGBT.电源模块.可控硅.MOS管.基准电源.军工高精密电子元器件.并可为您提供各种电子元器件配套服务.经营的主要品牌包括 :SILICONI..、IR、FSC、 MAXIM 、 VISHY.AD 、MOTOROLA 、 PHILIPS 、 DALLAS 、 LT 、 NS 、TI、 DG 、 ADC 、 ADG 、 OP 、 DS 、 TDK 、 IDT 、 QMV 、 HARRIS 、 LEVEL. NEC 、 LXT 、LT.LTC. ALTERA 、 EL 、 MT 、 ML 、 MIC。稳...