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场效应管 IRF540NPBF 原装现货供应

价 格: 2.00
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
型号/规格:IRF540NPBF
材料:N-FET硅N沟道
用途:L/功率放大
品牌/商标:IR/国际整流器
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:增强型

 

IRF540NPBF 参数标准包装50
类别分离式半导体产品 家庭
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C44 毫欧 @ 16A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
Id 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA

原装无铅现货 

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深圳市福田区时代超想电子商行
公司信息未核实
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  • 联系人: 赵远明
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场效应管FDP3652类别:分离式半导体产品家庭:MOSFET,GaNFET - 单系列:PowerTrench®FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点:标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:16 毫欧 @ 61A, 10V漏极至源极电压(Vdss):100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:61AId 时的 Vgs(th)():4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs:53nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2880pF @ 25V功率 - :150W安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 (直引线)

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