场效应管FDP3652
| 价 格： | 6.00 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | 场效应管FDP3652 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-ARR/陈列组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 25（V） | |
| 夹断电压： | 100（V） | |
| 跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
场效应管FDP3652
类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PowerTrench®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：16 毫欧 @ 61A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：61A
Id 时的 Vgs(th)（）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：53nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2880pF @ 25V
功率 - ：150W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
- 所属城市：广东 深圳
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三极管SS8050
信息内容：SS8050制造商:Fairchild Semiconductor 产品种类:Transistors Bipolar (BJT) 晶体管极性:NPN 集电极—发射极电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V 直流电集电极电流:1.5 A 直流集电极/Base Gain hfe Min:85 配置:Single 工作频率:100 MHz 工作温度: 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-92-3 Kinked Lead 封装:Ammo 集电极连续电流:1.5 A 最小工作温度:- 65 C 功率耗散:1 W 工厂包装数量:2000 原装现货 详见PDF 深圳市时代超想电子商行热卖本商行代理经销系列大小功率二三极管.场效应管.集成电路.SMD贴片元件.IGBT.电源模块．可控硅．MOS管.基准电源．军工高精密电子元器件．并可为您提供各种电子元器件配套服务.本商行代理经销系列大小功率二三极管.场效应管.集成电路.SMD贴片元件.IGBT.电源模块．可控硅．MOS管.基准电源．军工高精密电子元器件．并可为您提供各种电子元器件配套服务.经营的主要品牌包括 ：SILICONI..、IR、FSC、 MAXIM 、 VISHY.AD 、MOTOROLA 、 PHILIPS 、 DALLAS 、 LT 、 NS 、TI、 DG 、 ADC 、 ADG 、 OP 、 DS 、 TDK 、 IDT 、 QMV 、 HARRIS 、 LEVEL. NEC 、 LXT 、LT.LTC. ALTERA 、 EL 、 MT 、 ML 、 MIC。稳...
2.0安培 表面贴装二极管 S2M M7
信息内容：dzsc/19/1143/19114351.jpgdzsc/19/1143/19114351.jpg本商行代理经销系列大小功率二三极管.场效应管.集成电路.SMD贴片元件.IGBT.电源模块．可控硅．MOS管.基准电源．军工高精密电子元器件．并可为您提供各种电子元器件配套服务."
