场效应管 IPP070N06LG 070N06L
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | IPP070N06LG,MOS,60V,80A,0.007Ω,220 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 夹断电压： | 20 | |
| 极间电容： | 4300 | |
| 漏极电流： | 80A |
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IPP070N06LG,MOS,60V,80A,0.007Ω,220
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代理 场效应管 KIA50N06,FQP50N06,50N06
信息内容：产品型号:KIA50N06封装:TO-220源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):50源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.023 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):130极间电容Ciss(PF):900 TYP.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：单脉冲雪崩能量EAS(mJ):480温度(℃): -55 ~150描述:60V,50A N-Channel PowerTrench MOSFET 产品型号:FQP50N06封装:TO-220源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):50源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.022 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):120极间电容Ciss(PF):1180 TYP.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：22单脉冲雪崩能量EAS(mJ):490温度(℃): -55 ~175描述:60V,50A N-Channel MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
场效应管 WFP7N60 STP8NC60 HFP7N60
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